| 发明名称 | 二位元氮化物只读存储单元及其制造和读取方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有寄生放大器的二位元氮化物只读存储单元及其制造和读取方法。该存储单元包括：一半导体衬底；一第一阱区，设置于上述半导体衬底内且具有与半导体衬底相反的电性；一第二阱区，设置于上述第一阱区内且具有与第一阱区相反的电性；一栅极介电层，设置于上述第二阱区的部分表面，且包括一氮化物层；一导电层，设置于上述栅极介电层上并与栅极介电层构成一栅极；以及一对第一掺杂区，对称地设置于上述栅极两侧的第二阱区内并部分接触栅极且具有与第二阱区相反的电性，其中藉由上述第一掺杂区之一、第二阱区以及第一阱区以构成一寄生的电流放大器。 | ||
| 申请公布号 | CN1527389A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN03106855.3 | 申请日期 | 2003.03.05 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 黄丘宗;洪至伟 |
| 分类号 | H01L27/112;G11C11/40;G11C16/02 | 主分类号 | H01L27/112 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种具有寄生放大器的二位元氮化物只读存储单元，包括：一半导体衬底；一第一阱区，设置于该半导体衬底内且具有与该半导体衬底相反的电性；一第二阱区，设置于该第一阱区内且具有与该第一阱区相反的电性；一栅极介电层，设置于该第二阱区的部分表面，且该栅极介电层包括一氮化物层；一导电层，设置于该栅极介电层上并与该栅极介电层构成一栅极；以及一对第一掺杂区，对称地设置于该栅极两侧的该第二阱区内并部分接触该栅极且具有与该第二阱区相反的电性，其中藉由该些第一掺杂区之一、该第二阱区以及该第一阱区以构成一寄生的电流放大器。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||