发明名称 |
洗涤液及使用其的洗涤方法 |
摘要 |
本发明提供了能在短时间内将半导体基板上的蚀刻残渣完全除去,且不会将铜配线材料和绝缘膜材料等氧化或腐蚀,而且安全且对环境压力小的洗涤液。本发明涉及(1)半导体基体用洗涤液,其特征在于:含有氧化剂、酸及氟化合物,添加碱性化合物使pH调整为3~10,且水的浓度为80重量%以上;(2)半导体基体用洗涤液,其特征在于:含有氧化剂、酸、氟化合物及腐蚀抑制剂,通过添加碱性化合物使pH调整为3~10,且水的浓度为80重量%以上;及实施了金属配线的半导体基体的洗涤方法,其特征在于:使用前述的洗涤液。 |
申请公布号 |
CN1526807A |
申请公布日期 |
2004.09.08 |
申请号 |
CN200410005492.X |
申请日期 |
2004.02.19 |
申请人 |
三菱瓦斯化学株式会社 |
发明人 |
松永裕嗣;大户秀;山田健二;清水英贵;津金贤;小国诚基;木村善哉 |
分类号 |
C11D7/26;H05K3/26 |
主分类号 |
C11D7/26 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
陈昕 |
主权项 |
1、半导体基体用洗涤液,其特征在于:含有氧化剂、酸和氟化合物,通过添加碱性化合物使pH调整为3~10,且水的浓度为80重量%以上。 |
地址 |
日本东京 |