倒装芯片的高性能硅接触

摘要

本发明提供了一种半导体基片(12)，它包含前(14)、后(16)表面并有穿过基片在前(14)、后(16)表面之间伸展的小孔(18、20、22)。小孔(18、20、22)部分地由内壁部分界定并形成外部导电壳层。在贴近至少是一些内壁部分处形成导电材料(54)。接着，在孔内在导电材料上面径向朝内形成一层电介质材料(56)。然后在孔内在电介质材料层(56)上面径向朝内形成一层第二导电材料(60)。后一导电材料构成内部导电同轴线部件。

主权项

1.一种形成同轴集成电路互连线的方法，包括：提供一具有前、后表面的基片；形成以侧壁由所述前表面到所述后表面穿过所述基片伸展的小孔；在所述侧壁上形成外部导电同轴壳层；在所述外部导电同轴壳层上面径向朝内形成同轴电介质层；以及在所述同轴电介质层上面径向朝内形成内部同轴线。