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Ein Halbleiterbauelement enthält einen n-Kanal-MOS-Transistor. Der n-Kanal-MOS-Transistor enthält eine erste vergrabene Schicht (54) des p-Typs, die eine auf einem Substrat des p-Typs (P-SUB) (50) ausgeformte epitaxiale (n-)-Zone (53) des n-Typs gegen eine andere epitaxiale (n-)-Zone (53) isoliert, einen in einer n-Wanne in der epitaxiale (n-)-Zone (53) ausgeformten Drain (61), eine in einer die Seitenflächen der n-Wanne umgebenden p-Wanne ausgeformte Source (62), um von der n-Wanne getrennt zu sein, und ein Gate (60) auf jedem oberen Schichtabschnitt des Drain (61) und der Source (62). Der MOS-Transistor enthält ferner eine zweite vergrabene Schicht (52) des p-Typs, die unter der n-Wanne und der p-Wanne so ausgeformt ist, dass sie mit der p-Wanne verbunden ist, sowie eine vergrabene (n+)-Schicht (51), die so ausgeformt ist, dass sie mit der zweiten vergrabenen Schicht (52) des p-Typs und dem P-SUB (50) verbunden ist. Die epitaxiale (n-)-Zone (53), das P-SUB (50) und die erste vergrabene Schicht (54) des p-Typs sind mit dem Massepotential verbunden.
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