| 摘要 |
首先在具有吸光基板(AbsorptionSubstrate)的发光二极体磊晶层上形成欧姆接触电极，并形成高反射率金属层，再将此磊晶层黏结于高导热性之基板，取代传统吸光的砷化镓基板。。将吸光的基板除去，以形成具有欧姆接触电极高导热性与高反射率之的发光二极体。该发光二极体之结构包含一隔绝沟渠或隔绝岛(isolationisland)以使该发光二极体之结构分成两部分，该两部分至少使活性层至分离的；及一电极连接通道。电极连接通道系以钉线金属填入以连接欧姆接点金属电极层，至下包覆层上。如此，两电极上的两个钉线电极在隔绝沟渠两侧且高度相同。此外，高导热基板有良好散热效果而可以使用高电流，而使本发明的发光二极体成为高功率发光二极体。 |
