| 摘要 |
本发明揭示制造一种记忆单元，该单元包括第一浮动闸堆叠(A)、第二浮动闸堆叠(B)及中间存取闸(AG)，该浮动闸堆叠(A、B)包括第一闸极线氧化物(4)、浮动闸(FG)、控制闸(CG、CGl、CGu)、共聚介电层(8)、覆盖层(6)、及侧壁间隔片(10)，该单元进一步包括源极及汲极接点(22)，其中该制造包括：–定义相同处理步骤的浮动闸堆叠使具有相等高度；–沉积一多晶矽层于浮动闸堆叠上具有厚度大于浮动闸高度；–抛光该多晶矽层(12)；–藉由使用存取闸遮罩遮蔽浮动闸堆叠之间多晶矽层的步骤及多晶矽蚀刻步骤，定义抛光多晶矽层(14)的中间存取闸(AG)。 |
