发明名称 形成电路用下层膜形成材料,包埋材料,及使用其之电路形成方法
摘要 本发明之目的在提供,其特征为:含有至少具有施加以特定能量则末端基脱离产生磺酸残基之取代基的树脂成分及溶剂之下层膜形成材料及包埋材料。上述树脂成分,其特征为:至少具有下述一般式(1)092133232p01.bmp(式中n表1以上之整数,x系碳原子数1至10之直链或分枝烷基链、芳香性或脂环式之环烷链、烷基酯链、Y系接受特定能量之施加产生磺酸残基之取代基。)之重复单元。092133232p01.bmp
申请公布号 TW200416482 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092133232 申请日期 2003.11.26
申请人 东京应化工业股份有限公司 发明人 中村悦子;屋和正
分类号 G03F7/004 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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