| 主权项 |
1.一种高电性与散热性之封装结构,系包括:一基板,具有上表面、下表面与至少一贯穿开孔;至少一被动元件,系接置于该基板之上表面;一散热件,具有第一表面及第二表面,在该第二表面形成有至少一对应该基板上表面预设有该被动元件之凹槽,俾将该基板上表面耦合至该散热件第二表面时,使该被动元件得以收纳于该凹槽中;至少一半导体晶片,具有一电路面和一非电路面,以将该非电路面接置于该散热件第二表面并收纳于该基板开孔中;复数个导电连接元件,系用以将该半导体晶片电性连接至该基板下表面;一封装胶体,系用以包覆该半导体晶片、复数导电连接元件以及部份基板;以及复数个焊球,系植置于该基板下表面,用以将该半导体晶片与外界电性连结。2.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该基板之下表面形成有一环绕该开孔而设置之接地环(Ground Ring)、电源环(Power Ring)及多数信号焊垫(Signal Finger)。3.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该基板中形成有多数之贯孔(Via)。4.如申请专利范围第3项之高电性与散热性之封装结构,其中该贯孔复包含有接地贯孔及电源贯孔,使该接地贯孔及电源贯孔分别与该基板下表面之接地环及电源环电性连接。5.如申请专利范围第3项之高电性与散热性之封装结构其中该贯孔另一端系电性连接该被动元件。6.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该被动元件间隔一非导电胶黏剂以收纳于该散热件之凹槽中。7.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该被动元件为一电容器(Capacitor)。8.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该半导体晶片之电路面形成有多数之接地焊垫(Ground Pad)、电源焊垫(Power Pad)、以及讯号焊垫(Signal Pad)。9.如申请专利范围第1项之高电性与散热性之封装结构,其中该导电连接元件系为一焊线,复包括有第一焊线组、第二焊线组以及第三焊线组。10.如申请专利范围第2或9项之高电性与散热性之封装结构,其中该第一焊线组系用以电性连接该半导体晶片上之接地焊垫与该基板上之接地环。11.如申请专利范围第2或9项之高电性与散热性之封装结构,其中该第二焊线组系用以电性连接该半导体晶片上之电源焊垫与该基板上之电源环。12.如申请专利范围第2或9项之高电性与散热性之封装结构,其中该第三焊线组系用以电性连接该半导体晶片上之讯号焊垫与该基板上之信号焊线垫。图式简单说明:第1a图系习知之球栅阵列式(BGA)封装结构之剖面示意图;第1b图系习知之底穴置晶型球栅阵列式(CDBGA)封装结构之剖面示意图;第1c图系习知整合有电容之基板剖面示意图;第2图系本创作之高电性与散热性之封装结构第一实施例剖面示意图;以及第3图系本创作之高电性与散热性之封装结构第二实施例剖面示意图。 |
