| 主权项 |
1.一种乾式蚀刻机台侦测方法,包含:蚀刻一定数量之晶圆,并依序记录蚀刻制程中每片晶圆之Vpp値;获得一正常制程之Vpp区间値,藉由上述每片晶圆之Vpp値;输入该正常制程之Vpp区间値至乾式蚀刻机台之操控系统;和比较乾式蚀刻制程晶圆之Vpp値,若Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,则该蚀刻机台上之操控系统将进入一异常状况程序。2.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该一定数量之晶圆系指超过200片。3.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该正常制程之Vpp区间値系以数学方法推知。4.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中当该异常状况程序发生时,该蚀刻机台之操控系统会自动停机。5.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中当该异常状况程序发生时,该蚀刻机台之操控系统会发出警告讯息。6.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,系因静电夹盘(ESC)之可导热但电性绝缘的垫层破裂所造成。7.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,系因静电夹盘(ESC)之内部氦气的输送管路破裂,导致冷却晶片用的氦气泄漏所造成。8.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,系因蚀刻晶圆底部温度过高所造成。9.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,系因冷却系统不佳所造成。10.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该Vpp値落于该正常制程之Vpp区间値外,系因氧气流量异常所造成。11.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该蚀刻机台系用以进行动态随机存取记忆体之深沟渠制程(DT-DRAM)。12.如申请专利范围第1项所述之乾式蚀刻机台侦测方法,其中该深沟渠制程是以活性离子蚀刻制程来形成深沟渠(DT-RIE)。图式简单说明:第一图是乾式蚀刻反应室之示意图;第二A图是电容耦合式之乾式蚀刻反应室示意图;第二B图显示乾式蚀刻电浆电位随时间的变化图;第三图显示使用反应式离子蚀刻进行深沟渠(DT-RlE)蚀刻制程的晶圆(约200片)之Vpp値和最终产品的良率(Y%)曲线图,按最终产品的良率排列;第四图为将第三图中的数据按DT-RIE制程时间顺序重新整理的晶圆最终产品良率和Vpp値的曲线图;第五A、B图为按时间顺序纪录在不同机台上进行相同DT-RIE制程的晶圆Vpp値的曲线图;第六图显示进行乾式蚀刻制程的晶圆之氧气流量稳定度与Vpp値的关系图;及第七图为本发明之乾式蚀刻机台侦测方法之流程图。 |
