| 摘要 |
一种半导体装置(30)，其包括一连续性掺杂之基板(32)，其具有一表面(44)，一以硫为主之介电性材料层，其定位于连续性掺杂之基板之表面上，一介电性材料层(42)，其定位于以硫为主之介电性材料层上，及一闸极接触区(46)，其定位于以硫为主之介电性材料层上。该连续性掺杂之基板包括矽(Si)，而以硫为主之介电性材料包括一过渡金属硫化物，例如锶锆硫(SrZrS)、钡锆硫(BaZrS)、锶铪硫(SrHfS)、钡铪硫(BaHfS)、或类此者。再者，闸极接触区包括邻近于介电性材料层之一层锶钛硫(SrTiS)、钡钛硫(BaTiS)、或类此者之其中一者。 |
