发明名称 曝光装置、对准方法及半导体装置之制造方法
摘要 本发明系于藉由互补分割进行图案形成之情况,即使例如发生底层照射旋转,亦可良好保持互补分割区域间之连接精度,并且可极力抑制收获率恶化。使用互补分割光罩(4)进行图案转印之际,于被曝光体之晶圆(1)之划线(2)上配置对准标记(3a、3b),同时以邻接之原图案区域彼此共有划线(2)上之对准标记(3a、3b)。而且,分别光学检出此等对准标记(3a、3b)及配置于互补分割光罩(4)之对准标记(5a、5b),以进行晶圆(1)与互补分割光罩(4)之相对定位。
申请公布号 TW200416820 申请公布日期 2004.09.01
申请号 TW092128128 申请日期 2003.10.09
申请人 新力股份有限公司 发明人 纳士晋一郎
分类号 H01L21/027;G03F9/00 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本