发明名称 |
改进的磁畴扩展读取的磁光记录 |
摘要 |
本发明涉及一种磁光记录技术,根据这一技术,实现了改进的磁畴扩展读取。把一个标记按子标记部分和一个相邻的子空白部分加以记录,其中,把子标记部分的长度设置为小于或等于子空白部分的长度。因而,可以量化由于记录数据的不同的游程长度所引发的杂散场的变化,甚至是对于短通道比特长度,同时改进了分辨率和/或剩余功率。 |
申请公布号 |
CN1526135A |
申请公布日期 |
2004.09.01 |
申请号 |
CN02812153.8 |
申请日期 |
2002.06.11 |
申请人 |
皇家菲利浦电子有限公司 |
发明人 |
C·A·维尔舒伦;B·范罗姆佩伊;P·W·M·布洛姆;J·J·L·霍里克斯;H·W·范凯斯特伦 |
分类号 |
G11B11/105 |
主分类号 |
G11B11/105 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;罗朋 |
主权项 |
1.一种用于把信息按磁光记录介质的记录道上的标记和空白的模式加以记录的方法,所述方法包括下列步骤:a)写标记,即通过把所述磁光记录介质的一个标记区域的子标记部分沿基本上垂直于所述记录介质的记录表面的一个第一方向加以磁化,以及通过把所述标记区域的一个相邻子空白部分沿与所述第一方向相反的一个第二方向加以磁化,实现这一步骤;以及b)设置所述标记区域的所述子标记部分的长度(L1),以便使其小于或等于沿所述记录道的方向的所述标记区域的所述相邻子空白部分的长度(L2)。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |