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发明名称 TRANSISTOR METAL GATE STRUCTURE THAT MINIMIZES NON-PLANARITY EFFECTS AND METHOD OF FORMATION
摘要
申请公布号 EP1451859(A2) 申请公布日期 2004.09.01
申请号 EP20020804420 申请日期 2002.11.13
申请人 MOTOROLA, INC. 发明人 GRANT, JOHN, M.;ADETUTU, OLUBUNMI, O.;MUSGROVE, YOLANDA, S.
分类号 H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/49;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L29/423
代理机构 代理人
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