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"DIODOS SEMICONDUTORES COM EFEITO DE CAMPO DE SILìCIO óXIDO METáLICO VERTICAL". A presente invenção inclui métodos e aparelhos conforme descritos nas reivindicações. Sucintamente, são apresentados diodos semicondutores tendo uma baixa queda de tensão de condução no sentido dianteiro, uma baixa corrente de fuga no sentido reverso, uma alta capacidade de tensão e capacidade de energia de avalanche, apropriada para aplicação não só em circuitos integrados como também em dispositivos discretos. Os diodos semicondutores são dispositivos de efeito de campo de metal-óxido semicondutores cilíndricos verticais configurados como diodo tendo um terminal diodo como a conexão comum entre as portas e drenos dos dispositivos de efeito de campo de metal-óxido semicondutores cilíndricos verticais, e um terminal diodo como a conexão comum com as fontes dos dispositivos de efeito de campo de metal-óxido semicondutores cilíndricos verticais. é apresentado o método de fabricação dos dispositivos de efeito de campo de metal-óxido semicondutores cilíndricos verticais. Várias terminações de dispositivo podem ser empregadas para completar os dispositivos diodo. Várias modalidades são expostas.
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