| 发明名称 |
Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur durch selektives isotropes Ätzen einer Siliziumdioxidschicht auf einer Siliziumnitridschicht |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE10245671(B4) |
申请公布日期 |
2004.08.26 |
| 申请号 |
DE20021045671 |
申请日期 |
2002.09.30 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
FASSBENDER, FRANK HEINRICH;KOERBES, ANSGAR STEFAN |
| 分类号 |
H01L21/308;H01L21/311;H01L21/334;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/308 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
