| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Silizium-auf-Isolator-Substrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19653632(B4) |
申请公布日期 |
2004.08.26 |
| 申请号 |
DE19961053632 |
申请日期 |
1996.12.20 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
KIM, JAE-KAP |
| 分类号 |
H01L27/12;H01L21/02;H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/84;H01L21/30 |
主分类号 |
H01L27/12 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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