| 发明名称 | 薄膜压电装置 | ||
| 摘要 | 一种薄膜压电装置，具有在硅基板(2)上的外延金属薄膜(4)和在该金属薄膜上的PZT薄膜(5)，该PZT薄膜(5)具有从0.65到0.90的Ti/(Ti+Zr)原子比。由此可以实现具有极宽带的薄膜体声波谐振器。 | ||
| 申请公布号 | CN1163982C | 申请公布日期 | 2004.08.25 |
| 申请号 | CN00108912.9 | 申请日期 | 2000.05.19 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 矢野義彦;野口隆男;阿部秀典;斎藤久俊 |
| 分类号 | H01L41/09 | 主分类号 | H01L41/09 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜压电装置，包含硅基板、该硅基板上的外延膜形式的金属薄膜、和位于该金属薄膜上的外延PZT薄膜，该外延PZT薄膜中的Ti/(Ti+Zr)原子比为0.65到0.90。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||