多孔Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>及其制备方法

摘要

本发明提供一种多孔Si₃N₄制备方法，所述多孔Si₃N₄具有高气孔率、并且具有纵横比高的Si₃N₄粒子，该法具有下列工序：混合工序，把Si粉末和作为第一烧结助剂的至少1种稀土类元素化合物粉末加以混合，得到混合粉末，其中，对Si粉末100质量份，稀土类元素化合物换算成氧化物达到7.5～45质量份；添加工序，往该混合粉末中添加粘合剂；成型工序，用该混合粉末和粘合剂的混合物制造成型制品的成型工序；脱粘合剂工序，把该成型制品在氮氛围气中加热到300～500℃，除去粘含剂而形成脱粘合剂体；氮化工序，把该脱粘合剂体在氮氛围气中加热到1350～1500℃，进行氮化而制作氮化体；烧结工序，把该氮化体于1750～1900℃的温度在0.1～1个大气压的氮气中进行烧结。

主权项

1.多孔Si3N4的制备方法，该方法包括：(a)混合工序，把Si粉末和作为第一烧结助剂的至少1种稀土类元素化合物加以混合得到混合粉末，其中，对Si粉末100质量份，稀土类元素化合物换算成氧化物达到7.5～45质量份；(b)往该混合粉末中添加粘合剂的添加工序；(c)用该混合粉末和粘合剂的混合物制造成型制品的成型工序；(d)脱粘合剂工序，把该成型制品在氮气氛围中加热到300～500℃，除去粘合剂而形成脱粘合剂体；(e)氮化工序，把该脱粘合剂体在氮气氛围中加热到1350～1500℃，进行氮化而制作氮化体；(f)烧结工序，把该氮化体于1750～1900℃在0.1～1个大气压的氮气压中进行烧结。