| 发明名称 | 制造微电子器件的方法和微电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造微电子器件的方法和这类微电子器件，其中在基片(1)上形成一个存储电容(3)，在所述的存储电容(3)上形成一种防止氢透过的势垒(4)。根据本发明，在形成所述的势垒时首先产生氧化硅层(41)，对存储电容(3)和氧化硅层(41)进行退火，在退火后的氧化硅层(41)上镀敷防止氢透过的势垒层(42)，势垒层(42)由第一子层(421)和第二子层(422)构成，其中先镀敷由金属氧化物组成的第一子层(421)，后镀敷由氮化硅组成的第二子层(422)。这样在镀敷有效的氢势垒之后简便地腐蚀接触孔，镀敷氢势垒不会导致增大对存储电容的损害。 | ||
| 申请公布号 | CN1162900C | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
| 申请号 | CN01125794.6 | 申请日期 | 2001.08.24 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | G·欣德勒;Z·加布里克;W·哈特纳 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/8239;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.制造微电子器件的方法，其中，a)在基片(1)上形成一个存储电容(3)，所述电容包括-第一电极(31)-第二电极(33)，和-位于所述电极(31，33)之间的铁电或顺电电介质(32)，而且b)在所述的存储电容(3)上形成一种防止氢透过的势垒(4)，其特征在于：在形成所述的势垒时，-首先产生一种氧化硅层(41)，-对所述的存储电容(3)和所述的氧化硅层(41)进行退火，并且-在退火后的氧化硅层(41)上镀敷一种防止氢透过的势垒层(42)，所述的势垒层(42)由均能防止氢透过的第一子层(421)和第二子层(422)构成，其中先镀敷由金属氧化物组成的所述第一子层(421)，随后镀敷由氮化硅组成的所述第二子层(422)。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||