绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件

摘要

一种半导体IC器件包括基衬底，基衬底包括P^－型硅，第一P⁺型硅层提供在基衬底上，N⁺型硅层和第二P⁺型硅层提供在其上的相同层中。第一P⁺型硅层和N⁺型硅层的杂质浓度高于基衬底的杂质浓度。此外，埋入氧化物层和SOI层提供在N⁺型硅层和第二P⁺型硅层整个上表面上。第一P⁺型硅层连接到地电位布线GND，N⁺型硅层连接到电源电位布线VDD。因此与电源并联连接的去耦电容器形成在P⁺型硅层和N⁺型硅层之间。

主权项

1.一种SOI衬底，包括：基衬底；设置在部分基衬底中并且电阻率低于基衬底电阻率的第一半导体区；设置在基衬底上的绝缘膜；以及设置在绝缘膜上从而形成半导体集成电路的半导体层。