发明名称 | 静电容量式转矩传感器及转矩检测方法 | ||
摘要 | 横截面为圆形的棒31和外周面至少一部分形成因变形介电常数发生变化的电介质层32。电介质层相对交叉指电极构成一个电容器。交叉指电极设有相对棒的轴心倾斜了规定倾角的多个线状电极34a、34b。电介质层设有隔开微小缝隙且相对的筒状绝缘体33,最好将线状电极形成于筒状绝缘体的周面。线状电极也可直接形成于电介质层的表面。 | ||
申请公布号 | CN1162692C | 申请公布日期 | 2004.08.18 |
申请号 | CN00802799.4 | 申请日期 | 2000.09.08 |
申请人 | NEC东金株式会社 | 发明人 | 上野亨;若生直树;吉田哲男 |
分类号 | G01L3/10 | 主分类号 | G01L3/10 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
主权项 | 1.一种静电容量式转矩传感器,其特征在于,含有:横截面为圆形的棒;在上述棒的外周面至少一部分形成的因变形介电常数发生变化的电介质层;相对上述电介质层构成一个电容器的一对交叉指电极;沿上述棒的外周设置的构成一个电感线圈的第1线圈;将上述电容器及上述电感线圈相互连接构成闭回路的连接部;以及与第1线圈隔开微小缝隙并进行电磁耦合的第2线圈,上述交叉指电极是将相对上述棒的轴心以规定倾角倾斜的多条线状电极分别每隔一条连接在共通电极上所形成的。 | ||
地址 | 日本宫城县仙台市 |