半导体集成电路器件

摘要

为了消除由于加于外部端子上的过电压的极性造成的抗ESD性的差异，提高半导体集成电路器件对于正和负过压的抗ESD性，在外部端子和接地电位之间，设置具有晶闸管结构的保护元件，用于保护内部电路不受正过压影响，提供由二极管D1构成的保护元件，保护内部电路不受负过压影响。

主权项

1.一种半导体集成电路器件，包括：外部端子；形成于半导体衬底内的第一导电类型的第一区；与所述第一导电类型的第一区邻接形成的第二区，该第二区的导电类型为与所述第一导电类型相反的第二导电类型；形成于所述第一区内的所述第二导电类型的第三区；形成于所述第二区内的所述第一导电类型的第四区；以及所述第二导电类型的第五区，其中，所述第一区和所述第三区与所述外部端子电连接，所述第四区和所述第五区与接地电位电连接，其中，具有晶闸管结构的保护元件具有所述第一区、所述第二区、所述第三区和所述第四区，其中，二极管具有所述第五区，并且所述二极管被连接成在所述外部端子上施加负电压时，使所述外部端子与所述接地电位的连接方向成为所述二极管的正向方向，其中，所述第二区和所述第五区隔开形成。