发明名称 利福平高密度原粉Ⅰ型晶体的改进工艺
摘要 一种利福平高密度原粉I型晶体的改进工艺,用利福霉素为原料合成利福平,由溶解、酸化、环合、缩合、粗结晶、分离洗涤、转晶、分离、干燥各单元过程构成,在转晶过程中包括如下步骤:(A)用正丁醇作溶剂,溶液浓度6~18%,并控制溶解温度在72℃以上,溶解完全;(B)溶解完全后5至25分钟,加粗晶量的2~10%(重量)的晶种,晶种的粒度能通过大于等于150目,搅拌速度小于20转/分钟;(C)在结晶过程中的溶液浓度保持在相同的范围内,控制降温速度小于6℃/小时,并降温在10℃以下分离,可得到高密度(≥0.7g/ml)的I型晶体,可有效地提高药物的稳定性,显著延长药物有效贮存期,又可满足国外对密度≥0.7g/ml利福平的需求。
申请公布号 CN1162434C 申请公布日期 2004.08.18
申请号 CN01143412.0 申请日期 2001.12.26
申请人 杨伟业;周荣道 发明人 周荣道
分类号 C07D498/08;//(C07D498/08,267∶00,307∶92)C07M9∶00 主分类号 C07D498/08
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 宋冬涛
主权项 1、一种利福平高密度原粉I型晶体的改进工艺,用利福霉素为原料合成利福平,由溶解、酸化、环合、缩合、粗结晶、分离洗涤、转晶、分离、干燥各单元过程构成,其特征在于在转晶过程中包括如下步骤:(A)用正丁醇作溶剂,溶液浓度6~18%,并控制溶解温度在72℃以上,溶解完全;(B)溶解完全后5至25分钟,加粗晶量的2~10%重量的晶种,晶种能通过大于或等于150目,搅拌速度小于20转/分钟;(C)在结晶过程中的溶液浓度保持在相同的范围内,控制降温速度小于6℃/小时,并降温在10℃以下分离。
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