具有多层互连结构的半导体器件

摘要

提供一种半导体器件，通过使包围内部元件区的外围保护墙的结构最佳化以完全阻挡水从半导体芯片的边缘部分渗入，该半导体器件能够防止电路部分的浸蚀并确保高可靠性。以一种方式形成由导线层和通孔层制造的外围保护墙以包围内部元件区，并且半导体芯片的边缘部分和外围保护墙之间的距离为30μm。如此形成外围保护墙，以致双重或多重地包围内部元件区。

主权项

1.一种具有多层互连结构的半导体器件，该多层互连结构包括两个或多个元件、两个或多个导线层以及在它的半导体衬底上形成的两个或多个特定绝缘膜，所说的半导体器件包括：多个外围保护墙，每个外围保护墙形成在所说的半导体衬底的边缘部分和内部元件区之间，其中以下列方式形成所说的两个或多个元件，以便穿透在所说的半导体衬底上淀积的所说的两个或多个特定绝缘膜的每一个特定绝缘膜，并由此作为整体并以完整方式包围所说的内部元件区；以及其中，如此形成所说的外围保护墙以致双重或多重地包围所说的内部元件区。