低温多晶矽(LTPS)薄膜电晶体的制作方法

摘要

一种低温多晶矽薄膜电晶体的CMOS制作方法。此方法包括在一绝缘基板上形成欲作为一N–TFT和一P–TFT的多晶矽岛状物(polyisland)；依序沉积一闸极绝缘层和一闸极金属层于该绝缘基板上；图案化该闸极金属层，以形成该N–TFT的闸极金属和该P–TFT的闸极金属罩；以该N–TFT的闸极金属和该闸极金属罩作为罩幕，对该多晶矽岛状物进行N–离子植入步骤，形成该N–TFT之N–区域；形成一光阻图案于该N–TFT的闸极金属和该P–TFT的闸极金属罩上，其中一部份光阻图案定义出该P–TFT之闸极金属，而该光阻图案之另一部份罩覆住该N–TFT之闸极金属以及邻接的部份闸极绝缘层表面，以定义出该N–TFT之LDD(LightlyDopedDrain)结构；对该多晶矽岛状物进行N＋离子植入，形成该N–TFT之源极／汲极(S／D)区域；蚀刻未被该光阻图案遮盖住的该闸极金属罩部份，形成该P–TFT之闸极金属；以该光阻图案和该P–TFT之闸极金属作为罩幕，对该多晶矽岛状物进行P＋离子植入，形成该P–TFT之S／D区域；剥除该光阻图案；以及形成该N–TFT和该P–TFT的S／D金属电极。