发明名称 多层布线间之空洞形成方法
摘要 本案关于一种使用可展现特殊耐热温度及特殊热分解温度之聚合物之多层布线间空洞形成方法,此等聚合物具有特殊重复单元结构及特殊分子量范围且容易地于例如半导体中形成多层布线间之空洞结构。此方法包含一步骤为以环烯烃基础加成聚合物涂覆形成于半导体基板上之第一介电膜表面,一步骤为图案化该环烯烃基础加成聚合物为空洞形成聚合物,一步骤为形成金属布线于形成在该空洞形成聚合物上之图案中,一步骤为形成第二介电膜于含有金属布线之该空洞形成聚合物上,及一步骤为藉加热移除多层布线间之该空洞形成聚合物,俾于该金属布线间形成空洞。
申请公布号 TW200415753 申请公布日期 2004.08.16
申请号 TW092130023 申请日期 2003.10.29
申请人 JSR股份有限公司 发明人 黑泽孝彦;白土香织;丸山洋一郎
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本