形成具有多晶硅－硅化钛结构的栅极的方法

摘要

本发明提供了一种在栅极的再氧化工序中防止栅极异常氧化，同时，可以减小栅极电阻的多晶硅-硅化物结构的栅极形成方法。包括依次形成栅极氧化膜、多晶硅膜和硅化钛膜；在硅化钛膜上，按照栅极的形状，形成屏蔽绝缘膜。接着，对屏蔽绝缘膜的屏蔽层进行腐蚀，对硅化钛膜和多晶硅膜进行腐蚀，形成栅极。又利用再氧化工序，对基板进行氧化，在上述栅极的侧面和上述基板表面上，形成厚度均匀的氧化膜。

主权项

1.一种形成具有多晶硅-硅化物结构的栅极的方法，该方法包括下列步骤：在半导体基底上，依次形成栅极氧化膜，多晶硅膜和硅化钛膜；在上述TiSi2膜上，按照栅极的形状，形成屏蔽绝缘膜；以上述屏蔽绝缘膜作为蚀刻掩模，对上述TiSi2膜和多晶硅膜进行腐蚀，形成栅极；和利用再氧化工序，对上述基板进行氧化，在上述栅极的侧面和上述基板表面上，形成厚度均匀的氧化膜；其特征为，上述再氧化工序，是在700至750℃的温度下，利用在干燥气氛下进行氧化的方法进行的。