发明名称 METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHIC STRUCTURING BY MEANS OF A CARBON HARD MASK LAYER WHICH HAS A DIAMOND-LIKE HARDNESS AND IS PRODUCED BY MEANS OF A PLASMA-ENHANCED DEPOSITION METHOD
摘要
申请公布号 EP1444724(A2) 申请公布日期 2004.08.11
申请号 EP20020776865 申请日期 2002.10.29
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 CZECH, GUENTHER;FUELBER, CARSTEN;KIRCHHOFF, MARKUS;STEGEMANN, MAIK;VOGT, MIRKO;WEGE, STEPHAN
分类号 G03F7/36;H01L21/033;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/314;(IPC1-7):H01L21/033;H01L21/027;C23C16/26;C23C16/27;G03F7/09;G03F7/11 主分类号 G03F7/36
代理机构 代理人
主权项
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