| 发明名称 | 电光学装置 | ||
| 摘要 | 电光学装置在衬底上具有TFT(30)、数据线(6a)和象素电极(9a)，构成TFT的半导体层(1a)通过中继膜(80a)与象素电极连接。通过将设在数据线和中继膜之间的遮光性导电膜(90a)和由与设在中继膜和半导体层之间的扫描线相同的膜形成的电容电极(3b)电连接起来并形成定电位，在层与层之间形成存储电容。可以提高象素孔径比，同时，可以增大存储电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1519634A | 申请公布日期 | 2004.08.11 |
| 申请号 | CN200410004811.5 | 申请日期 | 2001.03.16 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 村出正夫 |
| 分类号 | G02F1/136;H01L29/786;G03B21/00 | 主分类号 | G02F1/136 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种电光学装置，在衬底上具有扫描线、与所述扫描线交叉的数据线、以及与所述扫描线和所述数据线的交叉对应而配置的薄膜晶体管和象素电极，其特征在于：具有从所述薄膜晶体管的半导体层的漏极区伸展而设置的第1电容电极；夹着所述薄膜晶体管的栅极绝缘膜而与所述第1电容电极相对配置的岛状的第2电容电极；在较所述第2电容电极上层形成的、为使所述第2电容电极处于恒定电位而与所述第2电容电极电连接的第1导电膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||