发明名称 | 抛光垫及制造半导体器件的方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料,二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积%到5体积%的区域(11);以及有机材料(10)。 | ||
申请公布号 | CN1519894A | 申请公布日期 | 2004.08.11 |
申请号 | CN200410003134.5 | 申请日期 | 2004.02.06 |
申请人 | 株式会社东芝;JSR株式会社 | 发明人 | 南幅学;竖山佳邦;矢野博之;河村知男;长谷川亨 |
分类号 | H01L21/304;B24B37/00 | 主分类号 | H01L21/304 |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
主权项 | 1.CMP垫,其特征在于没有研磨料,并且其特征在于其包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料,二者都具有0.05μm到290μm范围内的平均直径并且占据基于所述垫整个体积的0.1体积%到5体积%的范围的区域(11);以及有机材料(10)。 | ||
地址 | 日本东京都 |