半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制造方法。本发明要解决的课题是，得到高电阻，温度系数小，而且薄膜电阻的单晶片面内均匀性优良的电阻元件。解决课题的手段是，在半导体基板(1)上形成场氧化膜(2)，在该场氧化膜(2)上用LPCVD法形成非掺杂的硅膜(3)。硅膜(3)是非晶硅膜或多晶硅膜。向该硅膜(3)进行BF2⁺离子注入。并且在该离子注入前或离子注入后进行750℃以下低温的N2退火。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在半导体基板上形成第一绝缘膜的工序；在该第一绝缘膜上形成非掺杂硅膜的工序；向该硅膜进行P型杂质的离子注入的工序；然后以露出所述硅膜的状态，在使向所述硅膜注入的P型杂质的外扩散在所述半导体基板内均匀发生那样的温度的氮气环境中，进行所述硅膜退火的工序；在该硅膜上形成第二绝缘膜的工序。