半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件，在其内部沿半导体芯片外围形成由导电材料制成的多个密封环，以包围电路形成部分，密封环与半导体衬底连接并以遍及所有的布线绝缘膜的方式被隐埋在多层布线绝缘膜内，并且在这种多个密封环内的指定位置上以使彼此相邻的密封环上的狭缝状槽口不对准的方式形成一个或多个狭缝状槽口。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，带有电路形成部分，包括依次层叠在半导体衬底上的多层布线绝缘膜和形成于所述多层布线绝缘膜内的多层互连；其中，一个或多个布线槽在每层所述多层布线绝缘膜内沿所述半导体芯片外围，以包围所述电路形成部分的方式而形成；其中，在每个所述一个或多个布线槽内，由铜或铜系导电材料制成的导电层经由第一铜扩散预防膜，以使得在所述多层布线绝缘膜中相互对应的各个布线槽可以上下彼此连接的方式而隐埋；和其中，在一层所述多层布线绝缘膜和与其上下相邻的另一层所述多层布线绝缘膜之间，第二铜扩散预防膜以与相应的第一铜扩散预防膜连接的方式而形成。