| 发明名称 | 使用复合分子材料的浮置闸极存储装置 | ||
| 摘要 | 一种浮置闸极存储装置，该装置具有浮置闸极(20)以及位于该浮置闸极(20)上的绝缘层(22)。控制闸极(24)位于该绝缘层(22)上。该绝缘层(22)由分子矩阵所组成，该分子矩阵中分布有离子错合物。通过施加电场，该离子错合物在该分子矩阵中是可分离的，以改变该绝缘层(22)中的电阻系数(或导电性)。经由高电阻系数(低导电性)状态(电荷是由浮置闸极(20)所保留)至低的电阻系数(高导电性)状态之间的开关切换，储存在浮置闸极(20)中的电荷可以轻易地流至闸极电极(24)。 | ||
| 申请公布号 | CN1518775A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN02812491.X | 申请日期 | 2002.05.07 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | A·曼德尔;A·波尔曼 |
| 分类号 | H01L29/788;H01L29/51 | 主分类号 | H01L29/788 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种浮置闸极存储装置，包括：基材；第一绝缘层，位于该基材上；浮置闸极，与该第一绝缘层电接触；第二绝缘层，与该浮置闸极电接触；以及控制闸极，位于该第二绝缘层上；其中，该第一与第二绝缘层的至少一者具有可控制变化的电阻系数。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||