| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法。其中包括在半导体绝缘层(25)上形成连接到MOS晶体管的源、漏区域(24a，24b)上的、由铜等金属(28a，28b)和覆盖该金属表面的阻当层(27a，27b)构成的布线(W1)，在该布线上形成绝缘层(29，30，32)，布线(W1)间做成空腔(31)并在空腔内充满氧和二氧化碳的混合气体或者空气；在绝缘层(32)上形成布线(W2)，布线(W2)间与布线(W1)间相同，也做成空腔(38)，并在空腔内充满氧和二氧化碳的混合气体或者空气。 | ||
| 申请公布号 | CN1160772C | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN96117972.4 | 申请日期 | 1996.12.27 |
| 申请人 | 东芝株式会社 | 发明人 | 亚南度;柴田英毅;山田雅基 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L23/52 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基片，在所述半导体基片上形成的第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成的多条第一布线，以及为了在所述多条第一布线间形成至少充满氧和二氧化碳的混合气体的空腔而在所述多条第一布线上形成的第二绝缘层，所述空腔内的二氧化碳的浓度比大气中的二氧化碳的浓度高。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||