| 发明名称 | 用于沉积含硅薄膜的前体及其方法 | ||
| 摘要 | 使用下式的肼基硅烷作为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅在基材上的硅电介质沉积的前体的方法：[R<SUP>1</SUP><SUB>2</SUB>N－NH]<SUB>n</SUB>Si(R<SUP>2</SUP>)<SUB>4－n</SUB>其中各R<SUP>1</SUP>独立选自C<SUB>1</SUB>－C<SUB>6</SUB>的烷基；各R<SUP>2</SUP>独立选自氢，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1－4。这些肼基硅烷的一些是新型前体。 | ||
| 申请公布号 | CN1518076A | 申请公布日期 | 2004.08.04 |
| 申请号 | CN200410002983.9 | 申请日期 | 2004.01.21 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 肖满超;A·K·霍奇伯格;K·S·库西尔 |
| 分类号 | H01L21/318;H01L21/316;C23C16/34;C23C16/40 | 主分类号 | H01L21/318 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张元忠;段晓玲 |
| 主权项 | 1、使用下式的肼基硅烷在基材上进行氮化硅的化学蒸汽沉积的方法：[R12N-NH]nSi(R2)4-n 其中各R1独立选自C1-C6的烷基；各R2独立选自氢，烷基，乙烯基，烯丙基，和苯基；和n＝1-4。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||