金属氧化物半导体晶体管对装置

摘要

一种MOS晶体管对是在同一基板上配设第1及第2MOS晶体管。这第1及第2MOS晶体管各自沿栅极宽度被等分割成多个，由第1分割晶体管M1a～M1c及第2分割晶体管M2a～M2c构成。上述第1分割晶体管M1a～M1c及第2分割晶体管M2a～M2c被配设成使其各栅极在栅极长度方向的基于中心线X-X’的位置坐标值总和各自成为相等。因此，各分割晶体管的栅极在栅极长度方向的误差总和变为“0”值，2个MOS晶体管之间的电流差消失。

主权项

1.一种MOS晶体管对装置，是在同一个基板上配设成第1及第2MOS晶体管的MOS晶体管对装置，其特征在于，上述第1及第2MOS晶体管各自以沿栅极长度方向所并列配设的多个分割晶体管所构成，上述第1及第2MOS晶体管被交互配设在上述第1及第2MOS晶体管之间，使得若构成上述第1MOS晶体管的所述分割晶体管的各栅极在栅极长度方向的位置坐标值总和增加或减少，则构成上述第2MOS晶体管的所述分割晶体管的各栅极在栅极长度方向的位置坐标值总和相应地增加或减少，各自把上述第1及第2MOS晶体管使其各栅极宽度相等地等分构成上述第1及第2分割晶体管，分割晶体管的栅极在栅极的长度方向的位置坐标值总和为0。