| 摘要 |
本发明提供一种在一内层介电层(36)内形成之虚拟特征(64、65、48a、48b)。在一具体实施例中，一非隙填充介电层(72)系形成且该等虚拟特征(64、65、48a、48b)上，用以在该等虚拟特征(64、65、48a、48b)之间或者在一虚拟特征(48a)与一载送电流区(44)之间形成空隙(74)。在一具体实施例中，钝化层(32和54)系藉由非电子式沉积予以形成，用以使下层导电区(44、48a、48b和30)免于受到来自该等气隙(74)之渗透。另外，钝化层(32和54)突出于下层导电区(44、48a、48b和30)之上，从而界定毗连导电区(48a、44和48b)之虚拟特征(65a、65b和67)。钝化层(32和54)可在不需额外图案制作步骤的条件下予以形成，并且免于刺穿气隙，有助于使导电孔之误对准度达到最小。 |
