磁性随机存取记忆体之抗铁磁耦合双层感应器

摘要

本发明揭示一种磁性穿隧接面(MTJ)记忆体阵列，该记忆体阵列具有一磁性稳定自由层，该自由层能够以最小的能量输入从一记忆体状态切换到另一记忆体状态。该记忆体阵列包含一MTJ单元，其具有反平行耦合自由层。一电气传导字元线路通过该自由层，使得通过该电气传导字元线路之电流会引起一磁场，该磁场作用在该自由层之反平行耦合层，造成其磁性旋转，同时彼此间保持反平行。