形成半导体装置之电晶体之方法

摘要

一种形成半导体装置的方法，其中在沈积一氮化物膜做为闸极间隔层之前，将于低温下实施缓冲用氧化膜的沈积，以避免布植于源极／汲极区域中的杂质向外扩散，藉此提供一具有低接触电阻的半导体装置，做为位元线与储存电极之用。形成半导体装置之电晶体的方法包含下列步骤：在一半导体基板上形成一闸极电极；使用闸极电极做为遮罩，将杂质以离子布植方法布植于半导体基板内，以形成一源极／汲极接面区域；于700℃以下的温度下，在所产生的结构上形成一氧化物膜；以及在闸极电极的侧壁上形成一氮化物间隔层。