包括低电介系数电介质之铜金属化层用之改善阻障层

摘要

本发明揭示一种包括低电介系数电介质之铜金属化层用之改善阻障层，在低电介系数金属化层之形成中可免除或至少大致上减少阻剂毒害之效应，其中含氮之阻障／蚀刻停止层在与该低电介系数电介质材料接触之介面之氮浓度大幅减少。因此，大幅地抑制该低电介系数电介质层中所形成通孔中之氮及氮化合物之扩散，以致于随后之微影蚀刻步骤中，氮及氮化合物与该光阻剂之相互作用系大幅地减少。