MRAM技术中改善磁堆叠表面粗糙度之双层CMP方法BILAYER CMP PROCESS TO IMPROVE SURFACE ROUGHNESS OF MAGNETIC STACK IN MRAM TECHNOLOGY

摘要

一种用于制造一磁电阻抗随机存取记忆体(MRAM)胞元的方法被揭示，而这解决了由通道接合层与该磁性层之间交界界面间粗糙度所造成的尼耳偶合(Neelcoupling)的问题。该方法包含了沉积第一以及第二阻障层于导体上，其中该第一阻障层具有与该第二阻障层所不同的研磨速率，该第二阻障层随后利用化学机械研磨(CMP)实质地被加以移除，留下一非常平坦并且均一的第一阻障层。当该磁性堆叠在所研磨的第一阻障层上被形成，交界界面的粗糙度不被转移至该通道接合层，以及不会有磁性化的不可靠发生。