| 摘要 |
本发明的非挥发性半导体记忆装置，为区块B000～B007属于记忆容量较小于普通区块的引导区块及参数区块。当不需要引导区块的情况时，便利用焊接操作等方式将信号BOOTE设定于L位准。在抹除时，当信号BLKSEL为H位准之情况时，控制部2便执行横向排列4区块的同时选择。此外，控制部2在此时将执行纵向2区块的同时选择。此结果便执行区块B000～B007的8个区块选择。引导区块与参数区块系可视为具有与普通区块相同容量的1个区块并批次抹除。藉此，利用单一晶片同时实现含有引导区块的情况与未含有的情况的快闪记忆体，可使设计、制造简单化。 |
