单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺

摘要

单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域，其特征在于：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构，背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成，它具有：机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。

主权项

1、单片集成电容式硅基微传声器，包括作电容电极用的振膜和在上端面开有大量声学孔的背极板，以及用以在电极间形成气隙的绝缘层，其特征是：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，所述纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；所述绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。