电阻加热式单晶片腔室中的掺杂的硅沉积工艺

摘要

一种用于沉积掺杂的多晶或非晶态硅膜的方法。该方法包括将基片放在基座上。基座包括带有电阻加热器的主体和与电阻加热器物理接触的一对热电偶，基座被放在工艺腔室内，以使该工艺腔室有高于基座的顶部和低于基座的底部。该方法还包括加热基座。该方法还包括通过位于基座上方的喷头向工艺腔室中提供工艺气体混合物。该工艺气体混合物包括硅源气体、杂质气体及载气，载气包括氮气(N₂)。

主权项

1.一种形成掺杂的硅膜的方法包括：将一片基片放在基座上，基座包括其上带有电阻加热器的主体和与电阻加热器物理接触的一对热电偶，基座被安放在工艺腔室内，以使该工艺腔室有一高于该基座的顶部和一低于该基座的底部；加热该基座；通过位于基座上面的喷头，向工艺腔室提供工艺气体混合物，其中该工艺气体包括一种硅源气体、一种杂质气体及一种载气，该载气包括氮气；以及从该工艺气体形成掺杂的硅膜。