一种薄膜晶体管的制作方法

摘要

一基底表面形成有一薄膜晶体管的一栅极。首先依序于该栅极上形成一栅极绝缘层与一非晶硅层，再进行一去氢步骤，并将该非晶硅层转化为一结晶硅层。接着于该栅极上形成一掺杂半导体层，并去除部分的该掺杂半导体层与该结晶硅层。最后于该基底表面形成该薄膜晶体管的一源极与一漏极，并于该基底上形成一钝化层。

主权项

1.一种形成有机发光二极管(organic light-emitting diode，OLED)显示器的薄膜晶体管的方法，该方法包含下列步骤：提供基底；于该基底上沉积第一金属层；对该第一金属层进行第一光蚀工艺，以于该基底表面形成该薄膜晶体管的一栅极；依序于该栅极上形成栅极绝缘层和第一非晶硅层；进行去氢步骤，以移除该第一非晶硅层中的氢原子；进行再结晶工艺，以将该第一非晶硅层转化为结晶硅层；于该栅极上形成第二非晶硅层；于该栅极上形成掺杂半导体层；进行第二光蚀工艺，以去除部分的该掺杂半导体层、该第二非晶硅层与该结晶硅层；于该基底上形成第二金属层；进行第三光蚀工艺，以于该基底表面形成该薄膜晶体管的源极与漏极，并同时去除部分的该掺杂半导体层，以暴露出该第二非晶硅层；以及于该基底上形成钝化层。