| 发明名称 | 半导体器件及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1516260A | 申请公布日期 | 2004.07.28 |
| 申请号 | CN02157188.0 | 申请日期 | 1998.02.18 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 | 发明人 | 石冢典男;三浦英生;池田修二;铃木范夫;松田安司;吉田安子;山本裕彦;小林正道;高松朗;清水博文;福田和司;堀部晋一;野添俊夫 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它包含半导体衬底和具有制作在半导体衬底的电路制作侧上的沟槽隔离结构的元件隔离氧化膜，其中的衬底具有围绕沟槽隔离结构的沟槽上边沿的单调凸面形状；氧化膜在沟槽隔离结构中部的沟槽内壁处被氧化成厚度为5-70nm；且半导体衬底在其上边沿处的曲率半径在3-35nm范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||