Halbleiterelement mit einer verbesserten Spannungsoberflächenschicht und Verfahren zur Herstellung einer Spannungsoberflächenschicht in einem Halbleiterelement

摘要

Ein Herstellungsprozess zur Bildung von Feldeffekttransistoren ist hierin offenbart und umfasst das Erzeugen einer verformten Oberflächenschicht auf der Oberfläche des Substrats, auf welchem der Transistor herzustellen ist. Die verformte Oberflächenschicht wird erzeugt, indem Xenon und/oder andere schwere inerte Ionen in das Substrat implantiert werden. Die Implantation kann vor oder nach dem Aufwachsen des Gateoxids ausgeführt werden. Die weitere Bearbeitung wird in einer konventionellen MOS-Technik durchgeführt. Es wird angenommen, dass die verformte Oberflächenschicht die Kanalmobilität in dem Transistor verbessert.