Halbleiterelement mit verbesserten Dotierprofilen und Verfahren zur Verbesserung der Dotierprofile eines Halbleiterelements

摘要

Es wird ein Implantationsprozess zum Amorphisieren eines kristallinen Substrats entsprechend der vorliegenden Erfindung vorgeschlagen. Insbesondere werden erfindungsgemäß amorphe Gebiete in einem Substrat gebildet, indem das Substrat einem Ionenstrahl ausgesetzt wird, der unter einem Neigungswinkel zwischen 10 DEG und 80 DEG in Bezug auf die Oberfläche des Substrats gehalten wird. Folglich wird eine kanalmäßige Ionenausbreitung während nachfolgender Implantationsprozesse nicht nur in vertikaler Richtung, sondern auch in horizontaler Richtung verhindert, so dass dotierte Gebiete mit optimalem Dotierprofil verwirklicht werden können.