| 发明名称 |
In Teilbereichen verglaster SiO¶2¶-Formkörper, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung |
| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines in einem Teilbereich oder vollständig verglasten SiO¶2¶-Formkörpers, bei dem ein amorpher poröser SiO¶2¶-Grundkörper durch ein kontaktloses Erwärmen mittels einer Strahlung gesintert bzw. verglast wird und dabei eine Kontamination des SiO¶2¶-Formkörpers mit Fremdatomen vermieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass als Strahlung der Strahl eines Lasers bei einem Unterdruck unter 1000 mbar eingesetzt wird.
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| 申请公布号 |
DE10260320(A1) |
申请公布日期 |
2004.07.15 |
| 申请号 |
DE20021060320 |
申请日期 |
2002.12.20 |
| 申请人 |
WACKER-CHEMIE GMBH |
发明人 |
SCHWERTFEGER, FRITZ;FRAUENKNECHT, AXEL;GUENSTER, JENS;ENGLER, SVEN;HEINRICH, JUERGEN GEORG |
| 分类号 |
C03B20/00;B23K26/12;C01B33/12;C03B8/00;C03B19/00;C03B19/06;C03C23/00;C04B35/14;C04B35/64;C30B15/00;C30B15/10;C30B15/32;C30B29/06;(IPC1-7):C03B19/06 |
主分类号 |
C03B20/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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