Technik zum Verringern der Lackvergiftung bei der Herstellung einer Metallisierungsschicht mit einem Dielektrikum mit kleinem epsilon

摘要

Während der Herstellung einer Metallisierungsschicht gemäß dem "Kontaktloch zuerst/Graben zuletzt"-Verfahren mit einer dielektrischen Schicht mit kleinem epsilon wird eine Lackvergiftung deutlich reduziert, derart, dass eine Oxidschicht mit geringer Dichte auf der dielektrischen Schicht mit kleinem epsilon gebildet wird, beispielsweise durch Umwandeln eines oberen Teils davon in ein Oxid, so dass vor und während der Herstellung der Deckschicht das Ausgasen flüchtiger Materialien verbessert wird. Da die Dichte der Deckschicht im Vergleich zu Deckschichten reduziert ist, die durch konventionelle Abscheideverfahren gebildet sind, kann das Ausgasen weiterhin über die gesamte Substratoberfläche während der Herstellung der Kontaktöffnung und des Grabens beibehalten werden, so dass ein kritischer Pegel an Lackkontamination zuverlässig vermieden werden kann.